江南大学AOM:非晶SiO2/Si衬底上可控合成ReS2(1-x)Se2x晶体层
不二 不二 2019-12-21

Re基过渡金属二硫化物(TMDs)和合金具有许多不同寻常的特性,如面内各向异性的光学、电学和声子特性,因此受到研究者们越来越多的关注。然而,扭曲的1T结构和较弱的层间耦合很容易导致各向异性生长和面外生长,这使得在非晶SiO2/Si衬底上制备Re基TMD和合金单层特别具有挑战性。近日,江南大学肖少庆等人开发了一种NaCl辅助的有限空间化学气相沉积的方法,可在SiO2/Si衬底合成高质量大尺寸的ReS2(1-x)Se2x单层晶体。盐助剂与受限反应空间的协同作用促进了中间金属氧氯化物的形成,并创造了一个相对稳定的生长环境,最终在SiO2/Si衬底上成功合成了ReS2(1-x)Se2x单层晶体。生长的ReS2(1-x)Se2x单层合金具有连续变化的成分、高晶体质量和均匀分布的Re,S和Se元素。此外,基于ReS2(1-x)Se2x的光电探测器对可见光和近红外光具有良好的光响应,且响应时间不到15 ms。这种盐辅助的受限空间化学气相沉积法为在非晶SiO2/Si衬底上大规模合成低晶格对称2D材料提供了一种可靠的方法,并为光电子器件中的Re-基TMD和合金开辟了新的前景。

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Peipei Kang, Haiyan Nan, Xiumei Zhang, Haoxin Mo, Zhenhua Ni, Xiaofeng Gu, Kostya (Ken) Ostrikov, Shaoqing Xiao. Controllable Synthesis of Crystalline ReS2(1−x)Se2x Monolayers on Amorphous SiO2/Si Substrates with Fast Photoresponse. Advanced Optical Materials. 2019

DOI: 10.1002/adom.201901415

https://doi.org/10.1002/adom.201901415


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