发光材料前沿每周精选丨0923-0929
纳米人 纳米人 2019-10-06
1. 清华大学Angew: EQE为22.02%效率!窄带绿色OLED!

高色纯度发光一直是高分辨率显示器的追求。尽管具有多共振的热激发延迟荧光(MR-TADF)的窄带发射材料在蓝光范围不断发展,但这种材料尚未在其他彩色区域验证其潜力。

 

清华大学Dongdong Zhang Lian Duan等人首次报道了一系列MR-TADF高效绿色发光材料。研究发现,具有电子缺陷性质的外围单元可以显著缩小红移发射的能隙,而不会损害色彩保真度。并研制出了MR-TADF发射器,其光亮度量子产率达90%以上,且FWHM≤25 nm。相应的有机发光二极管具有22.02%/69.82 lm/W(最大外部量子效率/功率效率),并具有出色的长期稳定性。

1-.png

Zhang, Y. , Zhang, D. , Wei, J. , Liu, Z. , Lu, Y. and Duan, L. (2019), Multi‐Resonance Induced Thermally Activated Delayed Fluorophores for Narrowband Green OLEDs. Angew. Chem. Int. Ed..

DOI: 10.1002/anie.201911266

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201911266

 

2. Nanoscale综述: 钙钛矿量子点LED

钙钛矿量子点(QDs)由于其高光致发光量子产率(PLQY),窄的发射带宽,可调谐的波长可覆盖整个可见光谱以及与柔性/可拉伸电子设备的兼容性,这些优异的特性使钙钛矿QD有望用于下一代固体光源和显示器。

 

近日,河北工业大学Yun-Fei Li吉林大学Jing Feng对钙钛矿量子点的发展及其在LED中的应用进行了综述。重点介绍了钙钛矿材料成分设计,合成方法,表面工程和器件优化。并确定了钙钛矿量子点不稳定性和铅毒性是钙钛矿光电应用发展的的主要挑战。最后,展望了钙钛矿量子点和其发光二极管进一步发展的前景。

2-.png

Li, Y.-F. Feng, J. et al.Perovskite quantum dots for light-emitting devices. Nanoscale 2019.
DOI: 10.1039/c9nr06191f

https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2019/nr/c9nr06191f

 

3. Snaith最新Joule: 氧化钝化金属卤化物钙钛矿

牛津大学Henry J.SnaithBernard Wenger团队提出了一种综合机制,用于钝化金属卤化物钙钛矿。研究表明,过氧化氢形成铅-氧键是减少钙钛矿缺陷的关键因素。过氧化氢可以直接用作有效的“后处理”以模拟该过程,并显著提高光致发光的量子效率。进一步将该处理方法用于入光伏器件中,以使开路电压增加50 mV,混合阳离子FA0.83Cs0.17Pb(I0.83Br0.17)3钙钛矿太阳能电池具有高达19.2%的稳态效率。

3-.png

Oxidative Passivation of Metal Halide Perovskites,Joule

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2542435119303812

 

4. Nature Nanotechnology: 基于单层WS2的室温极化发光二极管

纽约市立大学Vinod M. Menon团队报道了一种电驱动的极化发光二极管(LED),该极化LED在室温下使用单层二硫化钨(WS2)作为发光材料。提取的外部量子效率为〜0.1%,可与最近的大量有机物和基于碳纳米管的极化子电致发光(EL)器件的性能相媲美。在室温下在原子薄半导体中实现电驱动极化子LED的可能性为在这些系统以及使用范德华(vdW)材料的超快微腔LED中实现无反转电驱动激光器提供了有希望的一步。

4-.png

A room-temperature polariton light-emitting diode based on monolayer WS2,Nature Nanotechnology

https://www.nature.com/articles/s41565-019-0543-6

 

5. ACS Nano: 亮度(1600000 cd / cm2)炸裂!量子点LED亮度创纪录

高亮度的量子点发光二极管(QLED)在照明和显示方面具有潜在的应用前景。在高电流密度(J)下实现高亮度。但是,在高J时,效率会大大降低,从而限制了可达到的亮度。这种臭名昭著的现象被称为效率滚降,这很可能是由俄歇和/或热诱导的发射猝灭引起的。

 

近日,北京大学Shengdong Zhang联合南方科技大学Shuming Chen阐明了器件工作期间产生的焦耳热会显著影响QLED的滚降特性。为了实现超高亮度和高效的QLED,研究人员通过用1-十二烷硫醇代替常规的油酸配体来提高QD的热稳定性。通过进一步使用具有高导热率的基板,可以有效地散发以高J产生的焦耳热。由于有效的热管理,热诱导的发射猝灭得到了抑制,因此,QLED表现出16.6%的高外部量子效率(EQE)。此外,由于降低了效率衰减和增强的散热性能,QLED可以在高达3885 mA / cm2的极高J下工作,从而使该器件具有1.6×106 cd / cm2的创纪录高亮度。 该工作证明了热管理对于开发无滚降和超高亮度QLED器件的重要性,该器件可用于多种应用,包括照明,透明显示器,投影显示器,户外数字标牌,光疗等。

5-.png

Sun, Y. Zhang, S. Chen, S. et al. Investigation on Thermally Induced Efficiency Roll-Off: Towards Efficient and Ultra-Bright Quantum-Dot Light-Emitting Diodes. ACS Nano 2019.

DOI: 10.1021/acsnano.9b04879

https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.9b04879

加载更多
394

版权声明:

1) 本文仅代表原作者观点,不代表本平台立场,请批判性阅读! 2) 本文内容若存在版权问题,请联系我们及时处理。 3) 除特别说明,本文版权归纳米人工作室所有,翻版必究!
纳米人
你好测试
copryright 2016 纳米人 ICP备16031428号

关注公众号