突触忆阻器模仿人脑的基本功能单元，为实现脑启发（神经形态）计算提供了一种有前景的策略。在各种材料中，高性能钙钛矿因其良好的电子性能而成为人工神经形态器件的关键材料。然而，将钙钛矿集成到微电子系统中面临着重大挑战，主要源于其固有的局限性，包括高缺陷密度、环境不稳定性和毒性。近日，蔚山科学技术院Sang Il Seok提出了一种通过溶剂滴加使用低维（0D和1D）卤化铜钙钛矿（CHP）的受控相位调控方法，该方法通过调节成核动力学促进在单个薄膜上形成高度有序的混合相。

本文要点：

1) 该策略有效减少了界面复合，增强了离子迁移。由此产生的器件在皮焦耳范围内表现出超低的能耗，开/关比≈10⁻⁵，能够实现稳定的逻辑状态分离，并支持可靠的非易失性存储器和多级数据存储功能。

2) 该工作不但将无铅钙钛矿忆阻器定位为可持续的替代品，而且将其定位为在可扩展性、功率效率和电阻开关可靠性方面能够超越2D材料的优秀材料。

参考文献：

Swagata Panchanan et.al Mixed-Dimensional Cu-Based Perovskites for Stable and Energy-Efficient Neuromorphic Memristors Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202520665

https://doi.org/10.1002/adfm.202520665