区域选择性沉积（ASD）有望促进具有2D过渡金属二硫化物通道的纳米电子器件的制造。鲁汶大学Annelies Delabie通过化学气相沉积（CVD）在部分被三角形单层WS₂晶体覆盖的Si/SiO₂基板上探索了Ru ASD。

本文要点：

1) 与大多数化学驱动沉积技术相反，这种Ru沉积具有固有的选择性，WS₂基面比WS₂晶体边缘更活跃。在WS₂晶体的基面上形成连续的Ru层，SiO₂表面的选择性损失小于2%。Ru沉积在WS₂晶体边缘附近开始，并在WS₂基面上以比垂直生长速率大10倍以上的横向生长速率扩展。

2) 各向异性生长归因于Ru吸附在WS₂基面上的扩散介导聚集。此外，实验观察结果与WS₂晶体上自约束沉积的理论预测一致，同时没有物理障碍来防止横向过度生长。

参考文献：

Ansh et.al Inherently Selective and Anisotropic Ruthenium Deposition on the Basal Plane of Single-Layer Transition Metal Dichalcogenide Crystals Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202516482

https://doi.org/10.1002/adfm.202516482