促进半导体/电催化剂/电解质界面上高活性物种的产生可以提高光电化学（PEC）水分解性能，但利用当前的策略实现这一目标仍极具挑战性。西北师范大学卢小泉、西北农林科技大学杜佩瑶、陕西师范大学宁星铭提出了一种硼（B）工程策略，通过将缺电子B引入半导体/电催化剂系统（BiVO₄/FeNiOOH）中，可同时调节界面电荷转移和表面催化反应动力学。

本文要点：

1) 扫描光电化学显微镜和X射线光电子能谱表明，在FeNiOOH中引入B有助于内部电荷转移（电子沿着Ni→B→Fe的方向迁移），通过电荷中继效应，在BiVO₄/FeNiOOH-B/电解质界面产生更多活性物种（Fe^3-δ和Ni^3+δ），从而加速电荷转移和表面反应动力学。

2) BiVO₄/FeNiOOH-B光阳极在1.23 V下实现了6.58 mA cm⁻²的光电流密度，同时具有优异的光稳定性。此外，这种B工程效应可用于开发TiO₂/FeNiOOH-B结构，以进一步提高PEC活性。

参考文献：

Wei Zhao et.al Unveiling Fast Charge Transfer Dynamics at Semiconductor/Electrocatalyst/Electrolyte Dual Interfaces via Boron Engineering for Efficient Water Splitting Adv. Energy Mater. 2025

DOI: 10.1002/aenm.202504275

https://doi.org/10.1002/aenm.202504275