国立清华大学Yu-Lun Chueh、国立阳明交通大学Der-Hsien Lien采用脉冲激光退火（PLA）工艺来提高碲（Te）薄膜器件的结晶度和功能性能。PLA有助于局部熔化，然后快速冷却，这促进了再结晶，同时与传统的热退火技术相比显著降低了能量损失。

本文要点：

1) 采用PLA处理的Te薄膜（10 nm）场效应晶体管（FET）的空穴迁移率为107.9 cm² V⁻¹ s⁻¹，开/关电流比显著提高，突显了它们适用于高性能电子应用。基于PLA处理的Te薄膜（10 nm）光电探测器在波长为408 nm的光照下表现出72.94 A W⁻¹的出色光响应性，响应时间更快，探测率更高，反映了其增强的光电功能。

2) 对于气体传感测量，PLA处理的Te（10 nm）传感器在1 ppm时实现了55.4%的二氧化氮（NO₂）响应，快速响应和恢复时间分别为0.92和27.7秒。对于检测硫化氢（H₂S）气体，在10 ppm时响应提高到98.3%，响应和恢复时间分别为121.3和78.8秒。

参考文献：

Chia-Hung Lo et.al Enhanced Crystallinity of P-Type 2D Tellurium Thin Films by Pulsed Laser Annealing Process and Its Applications on High-Performance Photodetectors and High-Sensitivity Gas Sensors Adv. Functional Mater. 2025

DOI: 10.1002/adfm.202516546

https://doi.org/10.1002/adfm.202516546