具有拓扑结构转变的材料为工程相位相关特性提供了独特机遇。褐米勒矿（BM）和钙钛矿（PV）氧化物之间的拓扑转变可用于忆阻器件、电致变色和固体电解质应用。然而，同时实现快速和均匀的拓扑相变仍极具挑战性。近日，南方科技大学黎长建、罗光富、Muhammad Shahrukh Saleem在SrCoO2.5晶体膜中实现了快速和良好控制的激光诱导拓扑结构转变，明显快于传统的退火或离子液体门控方法。
本文要点：
1) 相变通过拉曼光谱、局域导电原子力显微镜（CAFM）进行鉴定，并通过原子尺度扫描透射电子显微镜（STEM）研究得到证实。第一性原理计算证实，氧化物膜中的无应变条件对于激光触发的拓扑相变至关重要。
2) 相变导致电阻降低6倍，并且可以通过改变激光处理面积来控制多级电阻。快速、直接的激光写入技术是光学可写存储设备的一种简单、可扩展的方法。
Muhammad Shahrukh Saleem et.al Laser Induced Fast Topotactic Phase Transition in Freestanding Oxide Membranes Adv. Functional Mater. 2025
DOI: 10.1002/adfm.202524555
https://doi.org/10.1002/adfm.202524555
