非晶 p 型氧化物对于下一代灵活且可扩展的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术至关重要。在新兴候选材料中，碲基氧化物 (Te-TeOx) 由于嵌入非晶 TeO₂ 基体中的独特 Te-Te 传导网络而显示出巨大的前景。然而，这些传导通道的受控形成仍然具有挑战性，限制了低热预算下的空穴传输和掺杂性。

在这里，电子科技大学Ao Liu， Huihui Zhu，浦项科技大学Yong-Young Noh，报道了一种硫介导的氧化还原策略，通过 TeO₂ 解离和部分 Te⁴⁺ 还原来调节局部键合环境，促进短链 Te-Te 网络的形成。

文章要点

1）高性能p沟道薄膜晶体管能够在120°C的超低温下加工，表现出11.5 cm² V⁻¹ s⁻¹的平均空穴迁移率和约106的开/关电流比，并且具有高均匀性和再现性。

2）与 n 型对应器件的集成可在柔性和刚性基板上实现全氧化物 CMOS 电路，包括增益高达 1694 的反相器、工作频率为 339 kHz 的环形振荡器以及具有轨到轨输出的大规模功能电路。

参考文献

Mingyang Wang, et al, Sulfur redox mediator for low-temperature flexible amorphous oxide CMOS electronics, Sci. Adv. 11, eadz6914 (2025)

DOI: 10.1126/sciadv.adz6914