钙钛矿发光二极管 (PeLED) 的传统基于溶液的钝化方法通常会引入二次缺陷。

近日，高丽大学Sang Hyuk Im，天津大学Fei Zhang采用无溶剂摩擦转移方法提出了分子定制的双界面钝化策略，该策略能够实现均匀的分子沉积，而不会引起二次缺陷。

文章要点

1）具体而言，将4-巯基吡啶（4-MPy）施加在掩埋界面上，将2-巯基吡啶（2-MPy）施加在钙钛矿表面上。在掩埋界面处，4-MPy 稳定 Ni3+ 态，减少氧空位，并改善空穴注入。相比之下，表面沉积的 2-MPy 与配位不足的 Pb2+ 离子有效配位，形成宽带隙复合物，抑制陷阱态并增强载流子限制。

2）结果，优化后的 PeLED 实现了 24.67% 的最大外部量子效率和每安培 95.01 坎德拉的电流效率，这是溶液加工的基于 CsPbBr₃ 的多晶 PeLED 的最高值。此外，在每平方米 1000 坎德拉的初始亮度下，工作半衰期大幅延长了近 10 倍。

参考文献

Jin Kyoung Park, et al, Molecularly tailored dual-interface passivation via solvent-free rub-on transfer for efficient and stable perovskite LEDs, Sci. Adv. 11, eady4671 (2025)

DOI：10.1126/sciadv.ady4671